二氧化矽粒度標準

在當今的半導體計量實驗室中，晶圓檢查工具使用高功率激光掃描200 mm和300 mm的矽晶圓，以檢測低至30納米的表面顆粒。 校準高激光功率掃描系統時，尺寸校準非常重要，以便在30 nm處進行檢測。 並精確調整整個尺寸範圍內的顆粒尺寸。 使用大功率激光器和傳統的聚苯乙烯乳膠球進行尺寸校準可能很困難，因為高激光功率會收縮乳膠球。 該溶液使用尺寸為20 nm，30 nm，50 nm，100 nm，500 nm，1 µm和2 µm的二氧化矽顆粒。 優點是二氧化矽不會在高激光功率下收縮，從而始終如一地提供準確的尺寸峰進行校準； 與聚苯乙烯膠乳顆粒相比，二氧化矽顆粒具有非常接近的折射率。 二氧化矽污染晶圓標準; 二氧化矽粒度標準