PSL校準晶圓標準，二氧化矽污染晶圓標準
顆粒沉積工具用於在晶圓標準品上沉積非常精確的PSL尺寸標準品或二氧化矽顆粒尺寸標準品，以校準各種晶圓檢測系統。
- PSL校準晶圓標準，用於使用低功率激光掃描晶圓來校準晶圓檢查系統。
- 二氧化矽污染晶圓標準，用於使用大功率激光掃描晶圓來校準晶圓檢查系統。
校準掩模標準品或二氧化矽掩模標準品
我們的 2300 XP1 在 75 毫米至 300 毫米晶圓直徑的硼矽酸鹽掩模和基本矽上沉積 NIST 可追溯、認證的掩模標準。
- 125mm 和 150mm 面罩上的 PSL 校準面罩標準
- 150mm面罩上的二氧化矽污染標準
- 75mm 至 300mm 校準晶片標準
- 75mm 至 300mm 二氧化矽污染晶片標準
校準晶圓標準 - 尋求報價
污染晶片標準品、校準晶片標準品和二氧化矽顆粒晶片標準品使用顆粒沉積系統生產，該系統將首先使用微分遷移率分析儀 (DMA) 分析 PSL 尺寸峰或二氧化矽尺寸峰。 DMA 是一種高度準確的粒子掃描工具，結合冷凝粒子計數器和計算機控制，可根據 NIST 可追踪粒徑校準分離出高度準確的粒徑峰。 一旦尺寸峰被驗證，顆粒尺寸流被引導到主要矽、晶片標準表面。 顆粒在沉積在晶片表面之前被計數，通常作為整個晶片的完全沉積。 或者，可以在晶片周圍的特定位置沉積多達 8 種顆粒尺寸作為點沉積。 晶圓標準為 KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、Surfscan SPx、Tencor 6420、Tencor 6220、Tencor 6200、ADE、 Hitachi 和 Topcon SSIS 工具和晶圓檢測系統。
Applied Physics USA
差分遷移率分析儀，DMA電壓掃描，二氧化矽尺寸峰，100nm
Applied Physics USA |
通過差動遷移率分析儀掃描PSL Spheres尺寸標準品和矽膠尺寸標準品，以確定真實的尺寸峰。 一旦分析了尺寸峰，就可以將晶圓標準品沉積為全沉積或點沉積，或多點沉積晶圓標準。 在上方掃描100納米（0.1微米）處的二氧化矽尺寸峰，並且DMA在101nm處檢測到真實的二氧化矽尺寸峰。
全沉積或點沉積晶圓標準 - 顆粒沉積系統提供了高度準確的PSL校準晶圓標準品和二氧化矽污染晶圓標準品。
我們的2300 XP1顆粒沉積系統可提供自動顆粒沉積控制，以生產您的PSL晶圓標準品和二氧化矽晶圓標準品。
顆粒沉積應用
- 高分辨率，NIST可追溯DMA（差分遷移率分析儀）的大小和分類超過了新的SEMI標準M52，M53和M58協議，以實現PSL尺寸精度和尺寸分佈寬度
- 在60nm，100nm，269nm和900nm進行自動沉積尺寸校準
- 先進的差分淌度分析儀（DMA）技術，具有自動溫度和壓力補償功能，可提高系統穩定性和測量精度
- 自動沉積工藝可在一個晶片上進行多個點沉積
- 晶圓上的全部晶圓沉積； 或晶圓上任何位置的點沉積
- 高靈敏度允許從20nm到2um的PSL球體和二氧化矽顆粒沉積
- 沉積二氧化矽顆粒，以使用大功率激光掃描儀對晶圓檢查系統進行校準
- 沉積PSL球體，以使用低功率激光掃描儀對晶圓檢查系統進行校準
將PSL球和二氧化矽顆粒沉積在原始矽晶片標準品或150mm光掩模上。