污染晶圓標準

污染晶片標準可以作為完整沉積或點沉積沉積在原始矽晶片上，具有窄的粒徑標準峰。 30 納米到 2.5 微米的顆粒晶片標準可以在晶片周圍提供 1 個或多個點沉積，每個沉積尺寸的受控顆粒計數在 1000 到 2500 之間。 晶圓上的完全沉積還提供了晶圓上從 5000 到 10000 個粒子的粒子計數。 二氧化矽污染晶片標準用於校準使用高功率激光器的掃描表面檢測系統 (SSIS) 的尺寸精度響應，例如 KLA-Tencor SP2、SP3、SP5、SP5xp 和日立晶片檢測工具。 污染晶片標準品沉積有二氧化矽納米粒子，以校準使用高功率掃描激光器（例如 KLA-Tencor SP5 和 SPx）的晶片檢測系統的尺寸響應曲線。 就激光能量而言，二氧化矽顆粒比 PSL 球更堅固。 表面掃描檢測系統（例如 Surfscan SP1 和 Surfscan SP2）的激光強度使用的激光功率低於更新的 KLA-Tencor Surfscan SP3、SP5 和 SPx 工具，以及日立的圖案化晶圓檢測系統。 所有這些晶片檢測系統都使用沉積有 PSL 球或 SiO2 顆粒的污染晶片標準來校準這些晶片檢測系統的尺寸響應曲線。 然而，隨著激光功率的增加，發現球形聚苯乙烯乳膠顆粒在高激光強度下會收縮，從而導致激光尺寸響應不斷降低，對 PSL 晶圓尺寸標准進行重複激光掃描。 SiO2 顆粒和 PSL 球的折射率非常接近。 當兩種類型的顆粒都沉積在原始矽晶片上並由晶片檢測工具掃描時，二氧化矽和 PSL 球的激光尺寸響應相似。 由於二氧化矽納米顆粒可以承受更多的激光能量，因此在 KLA-Tencor SP3、SP5 和 SPx Surfscan 工具中使用的當前激光功率水平下，收縮不是問題。 因此，使用二氧化矽的污染晶片標準可用於生成與 PSL 球體非常相似的真實顆粒尺寸響應曲線。 因此，使用二氧化矽顆粒校準粒徑響應允許從 PSL 污染晶片標準（用於舊的、低功率 SSIS 晶片檢測系統）過渡到使用二氧化矽納米顆粒的污染晶片標準，用於更高功率的 SSIS 工具。 沉積在 100 納米及以上直徑的污染晶片標準由 KLA-Tencor Surfscan SP1 掃描。 粒徑低於 100nm 的晶圓標準由 KLA-Tencor Surfscan SP5 和 SP5xp 掃描

污染晶片標準，點沉積，二氧化矽微球在 100nm，0.1 微米

兩種類型的沉積物中均提供了污染晶圓標準品：完全沉積或點沉積，如上所示。

沉積100nm的二氧化矽顆粒，上方沉積兩個斑點。

半導體行業的計量管理人員使用污染晶圓標準來校準SSIS工具的尺寸精度。 計量管理人員可以指定晶圓尺寸，沉積類型（SPOT或FULL），所需的顆粒數和要沉積的顆粒尺寸。 在5000mm和25000mm全沉積晶圓上，顆粒數通常為200到300。 而SPOT沉積的尺寸通常為1000到2500。 污染晶圓標準可以完全沉積的形式生產，尺寸範圍從50nm到5微米。 單點沉積和多點沉積也可以在50nm至2微米範圍內使用。 點沉積晶片的優點是可以在乾淨的矽晶片表面圍繞的原始矽晶片上沉積1或更大的粒度。 在單個晶片上沉積多個粒度時，在單個晶片掃描和晶片檢查工具的尺寸校準過程中，在較大的動態尺寸範圍內挑戰晶片檢查工具是有利的。 完全沉積，污染的晶圓標準品具有在單個粒徑下校準SSIS的優勢，同時挑戰了SSIS在單次掃描中對整個晶圓進行統一掃描驗證的挑戰。 校準晶圓標準品包裝在單個晶圓盒中，通常在星期一或星期二裝運，以在本週結束之前到達。 使用100mm，125mm，150mm，200mm，300mm和450mm原始矽晶圓。 使用Tencor 150掃描6200mm或以下的污染晶圓標準品，而使用SP200 Surfscan掃描300mm，1mm。 參照NIST可追溯標準，提供了污染晶圓標準尺寸證書。 圖案和膠片晶圓以及空白光罩也可以沉積以創建污染晶圓標準。

污染晶圓標準– 200mm，全深，1.112微米

污染晶圓標準，顆粒校準標準– 300mm，全沉積，102nm

污染晶圓標準，300mm，多點沉積：125nm，147nm，204nm，304nm，350nm

帶點沉積的污染晶片標準：

Applied Physics 可以產生您需要的 30nm 到 2500nm 之間的任何二氧化矽尺寸峰值，並在主要矽晶片表面周圍沉積許多二氧化矽點沉積物。 污染晶圓標準 – 詢價